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佳能于2023年3月13日發(fā)售面向前道工序的半導(dǎo)體光刻機新產(chǎn)品----i線※1步進式光刻機“FPA-5550iX”，該產(chǎn)品能夠同時實現(xiàn)0.5μm（微米※2）高解像力與50×50mm大視場曝光。

▲FPA-5550iX

▲不僅能夠用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)，也可以用于XR顯示面板制造領(lǐng)域     

新產(chǎn)品“FPA-5550iX”能夠同時實現(xiàn)50×50mm大視場及0.5μm高解像力曝光，在不斷趨向高精尖化的全畫幅CMOS傳感器制造領(lǐng)域中，使得單次曝光下的高解像力成像成為可能。同時，通過充分利用高解像力與大視場的優(yōu)勢，“FPA-5550iX”也可應(yīng)用于頭戴式顯示器等小型顯示設(shè)備制造的曝光工序中。此外，隨著先進的XR器件顯示器需求增加，該產(chǎn)品也可廣泛應(yīng)用于大視場、高對比度的微型OLED顯示器※3制造。新產(chǎn)品“FPA-5550iX”不僅能夠應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造，也可以在最先進的XR器件顯示器制造等更廣泛的器件制造領(lǐng)域發(fā)揮其作用。

1. 通過制造方法的革新，兼顧高解像力與大視場曝光，實現(xiàn)更加穩(wěn)定的鏡頭供應(yīng)

新產(chǎn)品“FPA-5550iX”通過繼承現(xiàn)款機型“FPA-5510iX”（2015年9月發(fā)售）中采用的投影鏡頭，實現(xiàn)了0.5μm的高解像力成像。同時，通過實現(xiàn)50×50mm的大視場曝光，讓全畫幅CMOS傳感器及XR顯示器制造中所需的大視場、高解像力單次曝光成為可能。此外，通過制造方法的革新，能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)質(zhì)、更穩(wěn)定的投影鏡頭供應(yīng)，滿足半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造的旺盛需求。

2. 通過采用可讀取各類對準(zhǔn)標(biāo)記的調(diào)準(zhǔn)用示波器，進一步加強制程對應(yīng)能力

調(diào)準(zhǔn)用示波器不僅具備檢測直射光的“明場檢測”功能，還新增了檢測散射光和衍射光的“暗場檢測”功能，用戶可根據(jù)使用需求選擇相應(yīng)的檢測方法。通過可選波長范圍的擴大、區(qū)域傳感器的應(yīng)用，加之可進行多像素測量，最終實現(xiàn)更低噪點的檢測效果，即使是低對比度的對準(zhǔn)標(biāo)記，也可以進行檢測。此外，可以應(yīng)用于各類對準(zhǔn)標(biāo)記的測量，加強對用戶多樣制程的支持能力。比如，作為選裝功能，用戶可以選擇配備能夠穿透硅片的遠紅外線波長，以便在背照式傳感器制造過程中對晶圓背面進行對準(zhǔn)測量。

3. 通過與Lithography Plus的協(xié)同，提高運轉(zhuǎn)效率

通過與解決方案平臺“Lithography Plus”（2022年9月上市）的協(xié)同，對光刻設(shè)備的狀態(tài)進行監(jiān)測、分析，實現(xiàn)光刻設(shè)備良好的品質(zhì)管控以及更高的運轉(zhuǎn)效率。

※1. 使用了i線（水銀燈波長 365nm）光源的半導(dǎo)體光刻設(shè)備。1nm（納米）是10億分之1米。

※2. 1μm（微米）是100萬分之1米（＝1000分之1mm）。

※3. 通過有機 EL（OLED）獨有的高畫質(zhì)，使用硅片實現(xiàn)超高解像力的顯示器制造形式。

※4. 為了對半導(dǎo)體電路進行多層疊加制造，以定位為目的在晶圓上作的標(biāo)識。